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判斷題

制作場(chǎng)氧區(qū)的時(shí)候，氮化硅的作用是作為LOCOS氧化時(shí)的掩蔽層。

答案：正確

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采用雙阱工藝，可以實(shí)現(xiàn)PMOS和NMOS的獨(dú)立控制。

答案：正確

利用重?fù)诫s的多晶硅作為MOS管的柵，可以使得MOS電路特性得到改善，閾值電壓下降。

答案：正確

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