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判斷題

采用雙阱工藝，可以實(shí)現(xiàn)PMOS和NMOS的獨(dú)立控制。

答案：正確

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利用重?fù)诫s的多晶硅作為MOS管的柵，可以使得MOS電路特性得到改善，閾值電壓下降。

答案：正確

制作MOS管結(jié)構(gòu)時(shí)，源漏雖然結(jié)構(gòu)完全對稱，但摻雜濃度不同。

答案：錯(cuò)誤

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