單項選擇題

已知一個MOS結(jié)構(gòu)，若不考慮金屬—半導體之間的功函數(shù)差及有效表面態(tài)電荷的影響，其閾值電壓為1V，若考慮金屬—半導體之間的功函數(shù)差及有效表面態(tài)電荷的影響，其閾值電壓為-1V，則（）

A.該結(jié)構(gòu)襯底為P型硅，是增強型MOS結(jié)構(gòu)
B.該結(jié)構(gòu)襯底為N型硅，是增強型MOS結(jié)構(gòu)
C.該結(jié)構(gòu)襯底為P型硅，是耗盡型MOS結(jié)構(gòu)
D.該結(jié)構(gòu)襯底為N型硅，是耗盡型MOS結(jié)構(gòu)

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單項選擇題

一個以P-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中，（）

A.其柵氧化層厚度越小，閾值電壓越大
B.其襯底摻雜濃度越高，閾值電壓越大
C.其閾值電壓必定是負的
D.其襯底費米勢肯定是負的

單項選擇題

一個以N-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中，（）

A.其閾值電壓應該是正的
B.強反時，其空間電荷區(qū)中的電荷應該是負的
C.積累狀態(tài)時所加的柵電壓應該是負的
D.其費米勢應該是負的

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已知一個MOS結(jié)構(gòu)，若不考慮金屬—半導體之間的功函數(shù)差及有效表面態(tài)電荷的影響，其閾值電壓為1V，若考慮金屬—半導體之間的功函數(shù)差及有效表面態(tài)電荷的影響，其閾值電壓為-1V，則（）

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一個以P-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中，（）

一個以N-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中，（）

已知一個MOS結(jié)構(gòu)，若不考慮金屬—半導體之間的功函數(shù)差及有效表面態(tài)電荷的影響，其閾值電壓為1V，若考慮金屬—半導體之間的功函數(shù)差及有效表面態(tài)電荷的影響，其閾值電壓為-1V，則（）

一個以N-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中，（）