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單項選擇題

一個以P-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中，（）

A.其柵氧化層厚度越小，閾值電壓越大
B.其襯底摻雜濃度越高，閾值電壓越大
C.其閾值電壓必定是負的
D.其襯底費米勢肯定是負的

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單項選擇題

一個以N-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中，（）

A.其閾值電壓應該是正的
B.強反時，其空間電荷區(qū)中的電荷應該是負的
C.積累狀態(tài)時所加的柵電壓應該是負的
D.其費米勢應該是負的

單項選擇題

當三極管的共射電流放大系數(shù)下降為1時所對應的頻率為（）

A.fM
B.fα
C.fβ
D.fT

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