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單項(xiàng)選擇題

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

A.5200
B.1200
C.9200
D.8000

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單項(xiàng)選擇題

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測方法是（）

A.發(fā)射光譜法
B.干涉測量法
C.質(zhì)譜分析法
D.橢圓偏振發(fā)

單項(xiàng)選擇題

刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）

A.70～100℃
B.130～150℃
C.150～170℃
D.170～200℃

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