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多項選擇題

?在現(xiàn)代Si CMOS IC金屬化工藝中，Ti和TiN的作用是（）。

A.TiN是勢壘層（阻擋層）
B.兩個都是導(dǎo)電層
C.Ti是粘結(jié)層或焊接層
D.TiN防反射層

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多項選擇題

Poly-Si gate的刻蝕應(yīng)采用什么特性和什么方法的刻蝕？（）

A.濕法刻蝕
B.干法刻蝕
C.各向同性刻蝕
D.各向異性刻蝕

多項選擇題

在STI工藝中，緩沖氧化層和氮化硅采用工藝技術(shù)正確的是（）。

A.氮化硅用常壓CVD工藝
B.氧化層用CVD工藝
C.氮化硅用低壓CVD工藝
D.氧化層用熱氧化工藝