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多項(xiàng)選擇題

Poly-Si gate的刻蝕應(yīng)采用什么特性和什么方法的刻蝕？（）

A.濕法刻蝕
B.干法刻蝕
C.各向同性刻蝕
D.各向異性刻蝕

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多項(xiàng)選擇題

在STI工藝中，緩沖氧化層和氮化硅采用工藝技術(shù)正確的是（）。

A.氮化硅用常壓CVD工藝
B.氧化層用CVD工藝
C.氮化硅用低壓CVD工藝
D.氧化層用熱氧化工藝

多項(xiàng)選擇題

1990’s CMOS IC 工藝技術(shù)特征是（）。

A.淺槽隔離工藝
B.鋁柵工藝
C.多晶硅柵工藝
D.硅外延片襯底

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