單項(xiàng)選擇題

以下關(guān)于MOS管的說(shuō)法正確的是（）

A.MOS管是電壓控制型器件，導(dǎo)電時(shí)電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電
B.MOS管是電流控制型器件，導(dǎo)電時(shí)電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電
C.MOS管是電壓控制型器件，導(dǎo)電時(shí)只有一種載流子參與導(dǎo)電
D.MOS管是電流控制型器件，導(dǎo)電時(shí)只有一種載流子參與導(dǎo)電

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單項(xiàng)選擇題

關(guān)于MOS電容，以下說(shuō)法正確的是（）

A.MOS電容是固定電容
B.MOS電容就是MOS柵氧化層電容
C.MOS電容在高頻和低頻時(shí)的特性是不一樣的
D.隨著柵電壓增加，MOS電容會(huì)減小

單項(xiàng)選擇題

已知一個(gè)MOS結(jié)構(gòu)，若不考慮金屬—半導(dǎo)體之間的功函數(shù)差及有效表面態(tài)電荷的影響，其閾值電壓為1V，若考慮金屬—半導(dǎo)體之間的功函數(shù)差及有效表面態(tài)電荷的影響，其閾值電壓為-1V，則（）

A.該結(jié)構(gòu)襯底為P型硅，是增強(qiáng)型MOS結(jié)構(gòu)
B.該結(jié)構(gòu)襯底為N型硅，是增強(qiáng)型MOS結(jié)構(gòu)
C.該結(jié)構(gòu)襯底為P型硅，是耗盡型MOS結(jié)構(gòu)
D.該結(jié)構(gòu)襯底為N型硅，是耗盡型MOS結(jié)構(gòu)

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以下關(guān)于MOS管的說(shuō)法正確的是（）

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關(guān)于MOS電容，以下說(shuō)法正確的是（）

關(guān)于MOS電容，以下說(shuō)法正確的是（）