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單項選擇題

LPCVD-SiO₂，將工藝控制在較高溫度，有：ks>hg，此時淀積速率的特點為（）

A.反應(yīng)劑氣體濃度的變化對淀積速率的影響不大
B.溫度的較小變化都會對淀積速率有較大影響
C.淀積速率受氣相質(zhì)量輸運控制
D.淀積速率受表面化學(xué)反應(yīng)控制

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單項選擇題

在已擴散結(jié)深達0.8μm的p-Si上再進行濕氧，氧化層厚0.2μm時，結(jié)深是多少（）

A.0.6μm
B.0.712μm
C.0.512μm
D.0.088μm

離子注入硼無需退火就有電活性，所以才會出現(xiàn)隨退火溫度升高反而電激活率下降的逆退火現(xiàn)象。

答案：錯誤

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