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單項(xiàng)選擇題

單晶硅刻蝕一般采用（）做掩蔽層，以氟化氫為主要的刻蝕劑，氧氣為側(cè)壁鈍化作用的媒介物。

A.氮化硅
B.二氧化硅
C.光刻膠
D.多晶硅

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單項(xiàng)選擇題

在IC芯片生長中淺溝槽隔離技術(shù)STI逐漸取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成為相鄰電子元件的絕緣體

A.柵氧化層
B.溝槽
C.勢壘
D.場氧化層

單項(xiàng)選擇題

在生產(chǎn)過程中必須使用（）來完成淺溝槽隔離STI。

A.單晶硅刻蝕
B.多晶硅刻蝕
C.二氧化硅刻蝕
D.氮化硅刻蝕

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