无码高清视频|成人自拍视频|欧美成人午夜无码A片秀色直播|草美女视频网站|美女被操网站在线观看

<pre id="j93xj"><acronym id="j93xj"></acronym></pre>

單項(xiàng)選擇題

在IC芯片生長(zhǎng)中淺溝槽隔離技術(shù)STI逐漸取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成為相鄰電子元件的絕緣體

A.柵氧化層
B.溝槽
C.勢(shì)壘
D.場(chǎng)氧化層

你可能感興趣的試題

單項(xiàng)選擇題

在生產(chǎn)過(guò)程中必須使用（）來(lái)完成淺溝槽隔離STI。

A.單晶硅刻蝕
B.多晶硅刻蝕
C.二氧化硅刻蝕
D.氮化硅刻蝕

單項(xiàng)選擇題

在刻蝕二氧化硅過(guò)程中假如我們?cè)贑F₄的（）內(nèi)加入適量的氫氣，能夠降低刻蝕的速率。

A.氣體
B.等離子體
C.固體
D.液體

<pre id="rdivb"><acronym id="rdivb"></acronym></pre>

<pre id="rdivb"><strong id="rdivb"></strong></pre><em id="rdivb"></em>