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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述熱生長(zhǎng)氧化層與沉積氧化層的區(qū)別。
答案：
①結(jié)構(gòu)及質(zhì)量：熱生長(zhǎng)的比沉積的結(jié)構(gòu)致密，質(zhì)量好。
②成膜溫度：熱生長(zhǎng)的比沉積的溫度高。可在400℃獲得沉積氧化...
②成膜溫度：熱生長(zhǎng)的比沉積的溫度高。可在400℃獲得沉積氧化...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述硅熱氧化工藝中影響二氧化硅生長(zhǎng)的因素。
答案：
①氧化溫度；
②氧化時(shí)間；
③摻雜效應(yīng)：重?fù)诫s的硅要比輕摻雜的氧化速率快
④硅片晶向：<1...
②氧化時(shí)間；
③摻雜效應(yīng)：重?fù)诫s的硅要比輕摻雜的氧化速率快
④硅片晶向：<1...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述SiO2在集成電路中的用途。
答案：
①柵氧層：做MOS結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)層（熱生長(zhǎng)）
②場(chǎng)氧層：限制帶電載流子的場(chǎng)區(qū)隔離（熱生長(zhǎng)或沉積）
③保...
②場(chǎng)氧層：限制帶電載流子的場(chǎng)區(qū)隔離（熱生長(zhǎng)或沉積）
③保...
