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離子注入在襯底中產(chǎn)生的損傷主要有()等三種。
答案:
點缺陷、非晶區(qū)、非晶層
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填空題
常規(guī)平面工藝擴散工序中的恒定表面源擴散過程中,雜質(zhì)在體內(nèi)滿足()函數(shù)分布。常規(guī)平面工藝擴散工序中的有限表面源擴散過程中,雜質(zhì)在體內(nèi)滿足()函數(shù)分布。
答案:
余誤差;高斯分布
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填空題
制備SiO
2
的方法有()、()、()、()、()等。
答案:
濺射法;真空蒸發(fā)法;陽極氧化法;熱氧化法;熱分解淀積法
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