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填空題

制備SiO₂的方法有（）、（）、（）、（）、（）等。

答案：濺射法；真空蒸發(fā)法；陽(yáng)極氧化法；熱氧化法；熱分解淀積法

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在SiO₂內(nèi)和Si-SiO₂界面存在有（）、（）、（）、（）等電荷。

答案：可動(dòng)離子電荷；氧化層固定電荷；界面陷阱電荷；氧化層陷阱

硅平面工藝中高溫氧化生成的非本征無(wú)定性二氧化硅對(duì)（）、（）、砷（As）、銻（Sb）等元素具有（）作用。

答案：硼；磷；掩蔽

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