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填空題

在SiO2內(nèi)和Si-SiO2界面存在有()、()、()、()等電荷。

答案: 可動(dòng)離子電荷;氧化層固定電荷;界面陷阱電荷;氧化層陷阱
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填空題

熱氧化制備SiO2的方法可分為四種,包括()、()、()、()。

答案: 干氧氧化;水蒸汽氧化;濕氧氧化;氫氧合成氧化
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