无码高清视频|成人自拍视频|欧美成人午夜无码A片秀色直播|草美女视频网站|美女被操网站在线观看

<ruby id="92tt9"><output id="92tt9"></output></ruby>

單項選擇題

N型硅襯底的MOS結(jié)構(gòu)，當(dāng)其柵極施加（）偏壓時，半導(dǎo)體表面附近會形成一層（）層。

A.正，電子積累
B.負(fù)，電子積累
C.正，空穴反型層
D.正，電子反型層

你可能感興趣的試題

單項選擇題

一個以N-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中，其閾值電壓應(yīng)該是（）的，積累狀態(tài)時所加的柵電壓應(yīng)該是（）的

A.正，正
B.正，負(fù)
C.負(fù)，正
D.負(fù)，負(fù)

單項選擇題

P-Sub的理想MOS結(jié)構(gòu)襯底的費米勢應(yīng)該是（）的；強反型時，其空間電荷區(qū)中的電荷應(yīng)該是（）的

A.正，正
B.正，負(fù)
C.負(fù)，正
D.負(fù)，負(fù)

<dl id="ia5yk"></dl>