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單項(xiàng)選擇題

一個(gè)以N-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中，其閾值電壓應(yīng)該是（）的，積累狀態(tài)時(shí)所加的柵電壓應(yīng)該是（）的

A.正，正
B.正，負(fù)
C.負(fù)，正
D.負(fù)，負(fù)

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單項(xiàng)選擇題

P-Sub的理想MOS結(jié)構(gòu)襯底的費(fèi)米勢(shì)應(yīng)該是（）的；強(qiáng)反型時(shí)，其空間電荷區(qū)中的電荷應(yīng)該是（）的

A.正，正
B.正，負(fù)
C.負(fù)，正
D.負(fù)，負(fù)

單項(xiàng)選擇題

不影響MOS管閾值電壓的參數(shù)有（）

A.柵氧厚度
B.襯底濃度
C.源漏區(qū)的長(zhǎng)度
D.有效表面態(tài)電荷