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問答題

【計算題】在電阻率為1Ω∙cm的p型硅半導(dǎo)體區(qū)域中，摻金濃度N_t=10¹⁵cm^-3，由邊界穩(wěn)定注入的電子濃度（∆n）₀=10¹⁰cm^-3，試求邊界處電子擴散電流。

答案：

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【計算題】設(shè)空穴濃度是線性分布，在3us內(nèi)濃度差為10¹⁵cm^-3，u_p=400cm₂/（V∙s）。試計算空穴擴散電流密度。

答案：

【計算題】室溫下，p型半導(dǎo)體中的電子壽命為τ=350us，電子的遷移率u_n=3600cm^-2/（V∙s）。試求電子的擴散長度。

答案：

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