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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】某單相可控整流電路，給電阻性負(fù)載供電和給蓄電池充電時(shí)，流過(guò)負(fù)載電流的平均值相同，試問(wèn)哪種情況下晶閘管發(fā)熱厲害些？
答案：
給蓄電池充電時(shí)發(fā)熱厲害，因?yàn)?theta;↑→I2↑→T↑（Id保持不...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】GTR、P-MOSFET、IGBT吸收電路的基本結(jié)構(gòu)如何？其減少被保護(hù)器件開(kāi)關(guān)損耗的機(jī)理如何？
答案：
緩沖電路的功能包括抑制和吸收二個(gè)方面。下圖為電路的基本結(jié)構(gòu)。
關(guān)斷過(guò)程：Cs與GTR集射極并聯(lián)，利...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】GTR、IGBT等過(guò)流保護(hù)中，為何要采用檢測(cè)集射極電壓作為保護(hù)基準(zhǔn)？
答案：
1.如以測(cè)量集電極電流Ic為過(guò)流保護(hù)原則，當(dāng)Icg測(cè)量誤差為△Ic，則保護(hù)電路將在集電極電流為Icg+△Ic時(shí)才動(dòng)作，但...
