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在版圖繪制時繪制源漏區(qū)域的摻雜層圖層時可以繪制一個完全包圍有源區(qū)的圖形,并可以和多晶層交疊,而不是分別在源、漏各繪制一個摻雜層,其主要原因是因為在工藝中采用自對準(zhǔn)工藝。
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