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問答題

【計算題】
T=300K，考慮一個硅pn結(jié)光電二極管，外加反向偏壓6V，穩(wěn)態(tài)光產(chǎn)生率為G_L=10²¹¹cm^-3·s^-1，pn結(jié)參數(shù)為：計算其光電流密度，比較空間電荷區(qū)和擴散區(qū)對光電流密度的貢獻。

答案：

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【計算題】假定GaAs導(dǎo)帶電子分布在導(dǎo)帶底之上0~3/2 kT范圍內(nèi)，價帶空穴分布在價帶頂之上0~3/2 kT范圍內(nèi)，計算輻射光子的波長范圍和頻帶寬度。

答案：

【計算題】T=300K，n型硅襯底雜質(zhì)濃度為N_D=5×10¹⁵cm^-3，計算金屬鋁-硅肖特基接觸平衡態(tài)的反向電流J_sT、正偏電壓為5V時的電流。計算中取理查森常數(shù)A^*=264Acm^-2·K^-2。

答案：

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