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填空題

考核MOSFET漏極電流應(yīng)力（Id），是指漏極電流的（）值；IGBT的電流應(yīng)力（Ic），是指集電極電流的（）值。

答案：有效；平均

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輔助源環(huán)路測(cè)試主要驗(yàn)證的控制環(huán)的（）。

答案：增益裕量和相位裕量

測(cè)試輔助源輸出的電壓紋波時(shí)，應(yīng)使用（）進(jìn)行測(cè)量；測(cè)量結(jié)果為紋波的峰-峰值。

答案：地線環(huán)法

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