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單項(xiàng)選擇題

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm

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單項(xiàng)選擇題

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

A.金屬離
B.微粒
C.純度
D.濃度

單項(xiàng)選擇題

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

A.化學(xué)物質(zhì)
B.金屬離子
C.融解的氧氣
D.細(xì)菌

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