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單項選擇題

空位隨溫度升高而增加，在20℃和1020℃之間，由于熱膨脹bcc鐵的晶格常數(shù)增加0.51%，而密度減少2.0%，假設(shè)在時，此金屬中每1000個單位晶胞中有1個空位，試估計在時每1000個單位晶胞中有多少個空位？（）（bcc鐵單位晶胞中有2個原子，假設(shè)晶格不變）

A.71
B.21
C.11
D.61

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單項選擇題

單晶硅半導(dǎo)體的禁帶寬度為1.10eV，等效狀態(tài)密度N=1.0×10¹⁹/cm³，求在273K時該半導(dǎo)體中的本征載流子濃度ni為（）。

A.1.34×10⁹/cm³
B.6.7×10⁸/cm³
C.2.2×10⁹/cm³
D.1.1×10⁹/cm³

單項選擇題

已知某離子晶體的晶格常數(shù)為5.0×10^-8cm，固有振動頻率為10¹²Hz，晶格勢能壘為0.5eV，求300K時的離子遷移率為（）。

A.1.24×10^-10cm²/s·V
B.6.19×10^-11cm²/s·V
C.9.14×10^-10cm²/s·V
D.4.57×10^-10cm²/s·V

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