多項(xiàng)選擇題

關(guān)于DDR4顆粒的CLK、ADD、命令、控制的常規(guī)布線要求，下列說(shuō)法正確的是（）。

A.Add/Com/Ctrl走菊花鏈
B.控制芯片端BGA的表層走線，長(zhǎng)度要求控制在250mil以內(nèi)
C.Add/Com/Ctrl走線長(zhǎng)度到第一個(gè)顆粒≤6000mil，到最后一個(gè)顆粒≤12000mil
D.Add/Com/Ctrl最后一個(gè)顆粒到端接電阻的長(zhǎng)度≤800mil

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多項(xiàng)選擇題

關(guān)于DDR4顆粒的DQ、DM/DBI/TDQS和DQS的常規(guī)布線要求，下列說(shuō)法正確的是（）。

A.所有的數(shù)據(jù)線優(yōu)先考慮布在以GND平面為參考平面的布線層
B.同一組數(shù)據(jù)線要走在一起，并要走在相同層面，組內(nèi)等長(zhǎng)以DQS為基準(zhǔn)，并等長(zhǎng)控制在20mil以內(nèi)
C.數(shù)據(jù)線在滿足和DQS的時(shí)序要求外走線總長(zhǎng)度長(zhǎng)≤6500mil
D.DQS要緊耦合設(shè)計(jì)，差分對(duì)對(duì)內(nèi)長(zhǎng)度誤差≤10mil

多項(xiàng)選擇題

關(guān)于DDR4的新增特性，下列說(shuō)法正確的是（）。

A.采用新的JEDECPOD12接口標(biāo)準(zhǔn)
B.DBI功能可以降低功耗并提升數(shù)據(jù)信號(hào)完整性
C.DQ動(dòng)態(tài)確定Vref（V_center），增加了眼圖要求
D.突發(fā)長(zhǎng)度和突發(fā)停止長(zhǎng)度分別為8和4

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關(guān)于DDR4顆粒的CLK、ADD、命令、控制的常規(guī)布線要求，下列說(shuō)法正確的是（）。

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關(guān)于DDR4顆粒的DQ、DM/DBI/TDQS和DQS的常規(guī)布線要求，下列說(shuō)法正確的是（）。

關(guān)于DDR4的新增特性，下列說(shuō)法正確的是（）。

關(guān)于DDR4顆粒的CLK、ADD、命令、控制的常規(guī)布線要求，下列說(shuō)法正確的是（）。

關(guān)于DDR4顆粒的DQ、DM/DBI/TDQS和DQS的常規(guī)布線要求，下列說(shuō)法正確的是（）。

關(guān)于DDR4的新增特性，下列說(shuō)法正確的是（）。