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多項選擇題

關于離子注入?yún)^(qū)形成非晶層的臨界劑量，下面哪幾種說法正確（）

A.靶溫升高，臨界劑量上升
B.注入離子越輕，臨界劑量越小
C.注入離子劑量率增大，臨界劑量降低
D.注入離子能量越高，臨界劑量越低

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多項選擇題

擴散系數(shù)在何時不可以看成是常數(shù)（）

A.在本征硅上擴散摻入中等濃度的雜質硼
B.在重摻雜p型硅上擴散摻入n型雜質
C.在中等濃度p型硅上擴散摻入n型雜質
D.在本征硅上擴散摻入高濃度的雜質硼，同時進行氧化

單項選擇題

擴散摻雜，擴散區(qū)要比掩膜窗口尺寸（），這是（）效應引起的，它直接影響超大規(guī)模集成電路的集成度。

A.大，場助擴散
B.大，橫向擴散
C.小，橫向擴散
D.大，氧化增強

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