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單項選擇題

P-Sub的理想MOS結(jié)構(gòu)在耗盡狀態(tài)時，半導(dǎo)體表面空間電荷區(qū)的電荷主要是（），此時半導(dǎo)體表面（）導(dǎo)電。

A.電子，可以
B.空穴，可以
C.施主離子，不可以
D.受主離子，不可以

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單項選擇題

MOS晶體管的（）可以用來表征柵電壓對其溝道電流的控制能力，其值越（），則表示這種控制能力也越強。

A.電流放大系數(shù)，大
B.電流放大系數(shù)，小
C.跨導(dǎo)，小
D.跨導(dǎo)，大

單項選擇題

已知Si中摻有硼雜質(zhì)，且摻雜濃度為10¹⁷/cm³，則這是（）型半導(dǎo)體，該半導(dǎo)體的費米能級在禁帶中線的（）

A.N，上方
B.P，上方
C.P，下方
D.N ，下方

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