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問答題

【計算題】T=300K，n型硅襯底雜質(zhì)濃度為N_D=10¹⁶cm^-3，計算肖特基勢壘高度Φ_B0、半導(dǎo)體側(cè)的接觸電勢差V_bi、空間電荷區(qū)厚度W。

答案：

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【計算題】在N_A=10¹⁵cm^-3的p型硅<111>襯底上，氧化層厚度為70nm，SiO₂層等效電荷面密度為3×10¹¹cm^-2，計算MOSFET的閾值電壓。

答案：

【計算題】已知n溝道MOSFET的溝道長度L=10μm，溝道寬度W=400μm，柵氧化層厚度t_ax=150nm，閾值電壓V_T=3V，襯底雜質(zhì)濃度N_A=9×10¹⁴cm^-3，求柵極電壓等于7V時的漏源飽和電流。在此條件下，V_DS等于幾伏時漏端溝道開始夾斷？計算中取μ_n=600cm²/（V·s）。

答案：

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