如圖所示，電路中已知T₁、T₂均為硅管，U_BE1=U_BE2=0.7V，R_C1=R_C2=3.8KΩ，R_B1=R_B2=1KΩ，R_E=5.1KΩ，V_CC=1.5V，V_EE=-12V，β₁=β₂=50
試計(jì)算：
（1）靜態(tài)各種點(diǎn)的值；
（2）差模電壓放大倍數(shù)、共模電壓放大倍數(shù)及共模抑制比；
（3）差模輸入電阻、共模輸入電阻及輸出電阻。

由N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管組成的電路如下圖所示。設(shè)U_GSQ=-0.2V，G_m=1.2ms。試求：
（1）電路中的靜態(tài)工作點(diǎn)I_DQ和U_GSQ之值
（2）畫(huà)出微變等效電路圖
（3）電壓放大倍數(shù)Á_u
（4）輸入電阻R_i和輸出電阻R_O