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填空題

拉單晶的干鍋污染主要是由于坩堝材料分解出的（）造成。

答案：氧

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單項(xiàng)選擇題

磷在硅熔體與晶體中的分凝系數(shù)約為0.35，這使得液相摻雜拉制的摻磷硅錠的電阻率（）

A.軸向均勻
B.軸向遞減
C.軸向遞増
D.徑向遞減

在空間微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸優(yōu)質(zhì)晶錠。

答案：正確