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【簡答題】源/漏極(source/drain)的形成步驟可分為那些?
答案:
①LDD的離子注入(Implant);
②Spacer的形成;
③N+/P+IMP高濃度源/漏極(S/D...
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答案:
用來當(dāng)器件的介電層,利用不同厚度的 gate oxide ,可調(diào)節(jié)柵極電壓對不同器件進行開...
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【簡答題】Poly(多晶硅)柵極的刻蝕(etch)要注意哪些地方?
答案:
①Poly 的CD(尺寸大小控制;
②避免Gate oxie 被蝕刻掉,造成基材...
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