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吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的,是吸附過程的基本依據(jù)。
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CVD 裝置通??梢杂蓺庠纯刂撇考?、沉積反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。
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反應(yīng)氣體或生成物通過邊界層,是以擴散的方式來進行的,而使氣體分子進行擴散的驅(qū)動力,則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。
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