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問答題

【計算題】試計算摻磷的硅、鍺在室溫下開始發(fā)生弱簡并時的雜質(zhì)濃度為多少？

答案：

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【計算題】求室溫下?lián)戒R的n型硅，使E_F=（E_C+E_D）/2時銻的濃度。已知銻的電離能為0.039eV。

答案：

【計算題】摻磷的n型硅，已知磷的電離能為0.044eV，求室溫下雜質(zhì)一半電離時費米能級的位置和濃度。

答案：