无码高清视频|成人自拍视频|欧美成人午夜无码A片秀色直播|草美女视频网站|美女被操网站在线观看

<ruby id="tycp9"><output id="tycp9"></output></ruby>

問答題

【簡答題】什么是LOCOS和STI（寫中英文全稱），為什么在高級IC中STI取代了LOCOS，列舉STI的工藝步驟。

答案： LOCOS：硅的局部氧化隔離 local oxidation of ...

你可能感興趣的試題

【簡答題】解釋HDPCVD中同步沉積和刻蝕。典型深寬比的值是什么？

答案：它是采用材料填充高深寬比的間隙并且無空洞形成的基礎。 3:1

【簡答題】描述硅片偏置對HDPCVD方向性的影響。

答案：使HDPCVD能夠淀積得到的膜可以填充深寬比為3:1到4:1甚至更高的間隙。

<ins id="moz7c"></ins>