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填空題

MOSFET的跨導(dǎo)的定義是（），反映了（）對(duì)（）的控制能力。

答案：轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率；柵源電壓；漏極電流

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由于源、漏區(qū)的摻雜濃度（）于溝道區(qū)的摻雜濃度，所以MOSFET源、漏PN結(jié)的耗盡區(qū)主要向（）區(qū)擴(kuò)展，使MOSFET的源、漏穿通問(wèn)題比雙極型晶體管的基區(qū)穿通問(wèn)題（）。

答案：大；襯底；嚴(yán)重

由于柵氧化層中通常帶（）電荷，所以（）型區(qū)比（）型區(qū)更容易發(fā)生反型。

答案：正；P；N

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