單項(xiàng)選擇題

X線特征輻射的產(chǎn)生是由于（）。

A.高速運(yùn)動(dòng)的電子作用于靶原子的外層電子
B.高速運(yùn)動(dòng)的電子作用于靶原子的內(nèi)層電子
C.高速運(yùn)動(dòng)的電子作用于靶原子的原子核
D.高速運(yùn)動(dòng)的電子作用于靶原子的光學(xué)軌道電子
E.高速運(yùn)動(dòng)的電子作用于靶原子的內(nèi)層電子和原子核

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單項(xiàng)選擇題

放射性同位素衰變與下面那種因素?zé)o關(guān)？（）

A.衰敗前的電子數(shù)
B.衰敗時(shí)間
C.元素的放射性
D.元素衰敗的半衰期
E.射線穿過介質(zhì)的厚度

單項(xiàng)選擇題

衰變常數(shù)與半衰期TH之間的關(guān)系是（）。

A.入=0.693Th
B.入=0.693/Th
C.入=Th/0.693
D.入=1.44^Th
E.以上都不對(duì)

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X線特征輻射的產(chǎn)生是由于（）。

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放射性同位素衰變與下面那種因素?zé)o關(guān)？（）

衰變常數(shù)與半衰期TH之間的關(guān)系是（）。

X線特征輻射的產(chǎn)生是由于（）。

放射性同位素衰變與下面那種因素?zé)o關(guān)？（）