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填空題

對(duì)于下圖所示電路，設(shè)V_CC=12V，三級(jí)管β=50，V_BE=0.7V，若要求靜態(tài)電流I_CQ=2mA，V_CEQ=4V，則電路中的R_b=（），R_C=（）

答案： 282.5kΩ；4kΩ

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JFET是利用PN結(jié)反向電壓對(duì)耗盡層厚度的控制，來改變（）的寬窄，從而控制漏極電流的大小；而MOSFET則是利用柵源電壓的大小，來改變半導(dǎo)體表面（）的多少，從而控制漏極電流的大小。

答案：導(dǎo)電溝道；感生電荷

半功率點(diǎn)指的是在輸入信號(hào)幅值不變的的條件下，增益下降（）dB的頻率點(diǎn)，即與中頻段相比輸出電壓下降（）倍。

答案： 3；0.707

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