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【簡答題】畫出雙阱CMOS電路工藝順序簡化圖。
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填空題
半定制的電路設計方法分別是()的設計方法和()的設計方法。
答案:
以單元為基礎;以陣列為基礎
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填空題
施密特觸發(fā)器兩個開關閾值分別為:()和()。
答案:
V
M-
;V
M+
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