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單項選擇題

以下關(guān)于DRAM和SRAM說法正確的是（）

A.DRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性
B.SRAM將每個位存儲為對一個電容的充電
C.DRAM主要用于主存，幀緩沖區(qū)
D.SRAM對干擾非常敏感

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單項選擇題

以下哪些措施可能提高程序并行性（）

A.循環(huán)展開
B.創(chuàng)建多個累積變量
C.重新變換結(jié)合
D.以上都是

單項選擇題

（）是兩次運算之間間隔的最小周期數(shù)。

A.丟包
B.吞吐量
C.發(fā)射時間
D.延遲

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