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判斷題
在硅氧四面體的附近應(yīng)該有帶正電的離子來(lái)抵消它的負(fù)電。
答案：
錯(cuò)誤
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述Langmuir吸附等溫方程建立的基礎(chǔ)。
答案：
L.angmuir吸附等溫方程是建立在單分子層吸附理論的基礎(chǔ)上，其基本假設(shè)如下：
（1）吸附是單層的
（1）吸附是單層的
