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晶體中滲入雜質(zhì)或由較為純凈的晶體形成了非整比化合物都屬于化學缺陷。
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面缺陷是發(fā)生在一個層面的非周期性排列,體缺陷是指在三維方向上相對尺寸比較大的缺陷。
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線缺陷是指發(fā)生在晶體內(nèi)多個方向上的非周期性排列。
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