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單項(xiàng)選擇題

CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。

A.多晶硅
B.金屬鋁
C.金屬銅
D.鋁硅銅合金

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單項(xiàng)選擇題

為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。

A.反刻
B.CMP
C.SOG
D.高溫回流

單項(xiàng)選擇題

以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。

A.氧化
B.擴(kuò)散
C.光刻
D.刻蝕

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