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低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便,但膜不夠致密,耐潮性和抗離子沾污能力較差。()
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值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù),是晶體管的一個重要參數(shù),也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標(biāo)志。()
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片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡單,操作方便,晶片缺陷少,均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好,適于批量生產(chǎn),應(yīng)用越來越普遍。()
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