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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】鋁柵MOS工藝的缺點(diǎn)是什么?

答案:

制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟,不容易對(duì)齊

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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】MOS工藝包括有哪幾種?MOS工藝的重要參數(shù)是什么?什么是特征尺寸?

答案:

PMOS、NMOS、COMS、BiCMOS
溝道載流子特性、柵極材料、金屬層數(shù)、特征尺寸工藝可以實(shí)現(xiàn)的平面結(jié)構(gòu)的最小尺寸

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】與Si三極管相比,MESFET和HEMT存在哪些缺點(diǎn)?

答案:

(1)跨導(dǎo)相對(duì)低;
(2)閾值電壓較敏感于有源層的垂直尺寸形狀和摻雜程度;
(3)驅(qū)動(dòng)電流??;
(4)閾值電壓變化大。

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