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單項(xiàng)選擇題

以下4種半導(dǎo)體中最適合于制作高溫器件的是（）

A.Si
B.Ge
C.GaAs
D.GaN

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單項(xiàng)選擇題

當(dāng)一種n型半導(dǎo)體的少子壽命由直接輻射復(fù)合決定時(shí)，其小注入下的少子壽命正比于（）。

A.1/n0
B.1/△n
C.1/p0
D.1/△p

單項(xiàng)選擇題

有效復(fù)合中心的能級(jí)必靠近（）

A.禁帶中部
B.導(dǎo)帶
C.價(jià)帶
D.費(fèi)米能級(jí)

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