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【簡答題】MOS管的開啟電壓有那些因素決定?
答案:
由柵下半導體中的載流子濃度、柵氧化層的厚度、柵氧化層的固定電荷密度、可動電荷密度、界面態(tài)密度等有關
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原因:在離子束的傳輸過程中,由于離子與殘余氣體分子的碰撞等原因,離子俘獲電子成中性原子
害處:中性原子不帶電,...
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