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問答題

【計算題】已知npn非均勻基區(qū)晶體管的有關(guān)參數(shù)為x_jc=5μm，x_je=3μm，電子擴(kuò)散系數(shù)D_n=8cm²/s，τ_n=1μs，本征基區(qū)方塊電阻R_sB=2500Ω，R_sE=5Ω計算其電流放大系數(shù)α、β。

答案：

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【計算題】
硅npn晶體管的材料參數(shù)和結(jié)構(gòu)如下：

計算晶體管的發(fā)射結(jié)注入效率γ，基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)α_T，V_BE=0.55V，計算復(fù)合系數(shù)δ，并由此計算晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β。

答案：

【計算題】已知硅p⁺n結(jié)n區(qū)電阻率為1Ω·cm，求pn結(jié)的雪崩擊穿電壓，擊穿時的耗盡區(qū)寬度和最大電場強(qiáng)度。（硅pn結(jié)C_i=8.45×10^-36cm^-1，鍺pn結(jié)C_i=6.25×10^-34cm^-1）

答案：