柵極輸入信號(hào)改變使柵極輸入電容存儲(chǔ)或釋放電荷的時(shí)間。
通過離子注入改變半導(dǎo)體摻雜濃度,從而改變閾值電壓的過程。
當(dāng)載流子在源極和漏極漂移時(shí),氧化層-半導(dǎo)體界面處載流子的電場(chǎng)吸引作用和庫侖排斥作用。