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名詞解釋

輕摻雜漏（LDD）

答案：

為了減小電壓擊穿效應(yīng)，在緊鄰溝道處制造一輕摻雜漏區(qū)的MOSFET。

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熱電子

答案：由于在高場(chǎng)強(qiáng)中被加速，能量遠(yuǎn)大于熱平衡時(shí)的值的電子。

弱反型

答案：

反型電荷密度小于摻雜濃度時(shí)的情形。

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