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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】由外延生長(zhǎng)的Grove模型得到外延生長(zhǎng)速率與反應(yīng)物濃度成正比，對(duì)于以SiCl₄為原料的硅外延為什么隨SiCl₄濃度的增加會(huì)出現(xiàn)負(fù)的生長(zhǎng)速率？

答案：

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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】用Grove模型解釋分別在高溫區(qū)、低溫區(qū)外延生長(zhǎng)時(shí)溫度與生長(zhǎng)速度的關(guān)系。

答案：

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】詳述影響硅外延生長(zhǎng)速率的因素。

答案：